光刻過程,其主要工序如下。

　　1.涂膠

　　把光致抗蝕劑(俗稱光刻膠)涂敷在半導(dǎo)體基片的氧化膜上的過程稱為涂膠。光刻膠可分為正性膠和負(fù)性膠,在顯影圖中被光照部分的膠層被去除,形成“窗口”,為負(fù)性膠,反之為正性膠。涂膠要求薄厚均勻,常用的涂膠方法有旋轉(zhuǎn)(離心)甩涂、浸漬、噴涂和印刷等,有專門設(shè)備。

　　2.曝光

　　利用光源發(fā)出的光束,經(jīng)工作掩膜在光致抗蝕劑涂層成象,即為曝光。這種曝光稱為投影曝光,又稱為復(fù)印。常用的光源有電子束、X射線、遠(yuǎn)紫外線(準(zhǔn)分子激光)、離子束等。從投影方式上可分為接觸式、接近式反射式等。上述的原版就是用于投影曝光的。還有一種曝光是將光束聚焦形成細(xì)小束斑,通過數(shù)控掃描,在光致抗蝕劑涂層上繪制圖形,稱為掃描曝光,又稱為寫圖。這種曝光不需預(yù)制工作原版,但要設(shè)計編制掃描軌跡程序。常用的光源有電子束、離子束上述兩種曝光方式統(tǒng)稱為哪光

　　3.顯影與烘片

　　(1)顯影曝光后的光致抗蝕劑,其分子結(jié)構(gòu)產(chǎn)生化學(xué)變化,在特定溶劑或水中的溶解度也不同,利用曝光區(qū)和非曝光區(qū)的這一差異,可在特定溶劑中把曝光圖形呈現(xiàn)出來,這就是顯影。

　　(2)烘片有些光致抗蝕劑在顯影干燥后,要進(jìn)行200℃~250℃的高溫處理,使它發(fā)生熱聚合作用,以提高強(qiáng)度,稱為烘片

　　4.刻蝕

　　利用化學(xué)或物理方法,將沒有光致抗蝕劑部分的氧化膜去除,稱之為刻蝕?？涛g的方法很多,有化學(xué)刻蝕、離子刻蝕、電解刻蝕等

　　刻蝕不僅是沿厚度方向,而且也可沿橫向進(jìn)行,稱之為側(cè)面刻蝕。若以表示側(cè)面刻蝕量,以h表示刻蝕深度,則刻蝕系數(shù)=h/。側(cè)面刻蝕越小,刻蝕系數(shù)越大,制品尺寸精度就越高,精度穩(wěn)定性也越***。由于有側(cè)面刻蝕現(xiàn)象,使刻蝕成的窗口比光致抗蝕劑窗口大，因此在設(shè)計時要進(jìn)行修正。

　　5.剝膜與檢查

　　(1)剝膜　用剝膜液去除光致搞蝕劑的處理稱為剝膜。

　　(2)檢查　剝膜后，將工件洗凈、修整，進(jìn)行外觀、線條尺寸、間隔尺寸、斷面形狀、物理性能、電學(xué)性能等質(zhì)量檢查。