機械化學研磨是利用軟質磨粒與工件在接觸點上產生的機械化學現象,以去除工件表面的微量材料。該方法經濟性***、生產率高,可實現半導體等晶體的高精度加工。它有濕式和干式兩種研磨方式。

　　濕式機械化學研磨可用于硅片的***終精加工。它采用粒徑為0.01m的SiO2磨料微粉在弱堿性溶液中均勻混合的膠狀液作研磨劑。研具表層敷有質研劑地細密的軟質泡沫聚氨脂人造革。

　　研磨時,工件(硅片)直徑較大,軟質人造革平面無網眼,所以在高逮和高壓的條件下,工件和研具表面間可形成研磨劑層。研具表面雖有徽小的凸凹,有些位置還和工件接觸,但研磨劑一般均被封閉于工件和研具間。加工時硅片表面形成可被研具和磨粒去除的軟質水化膜。這樣,研磨不是直接由研具的機械作用產生,而是通過研具去除水化膜進行,所以能進行良***的研磨。

　　但是,實際加工并不完全像上述情況那樣,硅片表面會因水化膜有時破裂而出現加工峽陷。不過這些缺陷可采用清洗或HF水溶液腐蝕等措施加以消除,仍可獲得無任何加工缺陷的表面。提高研磨壓力或減少研磨液的供給量,硅片表面的缺陷就增多;當提高研磨速度,由于水面飄浮現象而使研磨液膜層增厚,硅片表面的缺陷就減少。

　　為了提高研磨效率,可將機械化學研磨分為兩步:**步加工采用較粗的磨料和通氣性***的研具,以便使研磨液膜層減薄,有利于利用磨料和研具表面的機械作用破壞水化膜,使研具與硅片直接接觸,從而提高研磨效率;第二步加工按正常方式研磨,以獲得缺陷少的加工表面。